廣東致能半導體近日對外宣布，將于2025年11月與國際知名8英寸晶圓廠合作，實現全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件的量產。這一突破標志著氮化鎵技術在基底材料應用領域邁出關鍵一步，為功率半導體行業帶來新的發展機遇。

作為國內第三代半導體領域的領軍企業，致能半導體自2018年成立以來，始終專注于氮化鎵功率器件的研發與產業化。公司構建了完整的IDM（設計-制造-封裝）體系，核心業務涵蓋硅基氮化鎵芯片及其共封裝器件的研發、生產與銷售。目前，其產品矩陣已包含TO247、TOLL、PQFN56等多種封裝類型，并成功完成硅基氮化鎵高功率大電壓常開平面元器件的研發與交付。

在技術創新方面，致能半導體持續突破行業瓶頸。今年7月，公司CEO黎子蘭博士在瑞典舉辦的國際氮化物半導體會議上，首次公開了硅基垂直GaN HEMT功率器件技術。該技術通過在硅襯底上實現垂直GaN/AlGaN結構生長與二維電子氣溝道構建，成功開發出全球首個垂直常開、常關雙類型器件。其中，常關器件的閾值電壓突破4V，憑借原創性技術優勢獲得國際學術界廣泛關注。

制造工藝層面，致能半導體通過引入行業領先的制造流程與創新技術平臺，使產品在芯片尺寸、生產成本、電學性能及制造一致性等核心指標上全面領先競爭對手。此次8英寸藍寶石基氮化鎵器件的量產計劃，正是其技術優勢向規?；a轉化的重要體現。

資本市場的認可為致能半導體的發展提供了強勁動力。公司已完成從種子輪到C輪的多輪融資，投資方陣容涵蓋知名風險投資機構、產業基金及頭部企業創投。今年1月的C輪融資中，高榕資本、博世創投、深創投等機構的加入，為公司產能擴張與供應鏈優化提供了關鍵支持，恰逢其氮化鎵器件量產推進的關鍵階段。