12月10日午后，半導體產(chǎn)業(yè)鏈市場表現(xiàn)活躍，呈現(xiàn)探底回升態(tài)勢。其中，上游半導體設備ETF（561980）表現(xiàn)尤為亮眼，盤中成功翻紅，漲幅達到0.61%，當日成交額突破1.6億元。從成份股表現(xiàn)來看，立昂微強勢漲停，晶瑞電材、長川科技漲幅均超過3%，拓荊科技、滬硅產(chǎn)業(yè)漲幅超過2%，南大光電、北方華創(chuàng)、海光信息等也有小幅上漲。

消息層面，銀河證券發(fā)布消息稱，外部正式提出了H.R.6207號議案，即《芯片設備質(zhì)量法案》。該法案明確禁止接受其補貼的芯片工廠使用來自中國的12類半導體設備。銀河證券分析認為，這一法案的提出，從側(cè)面反映出中國在半導體設備領域取得了顯著進步，同時也進一步強化了行業(yè)自主可控的邏輯，這或許成為推動板塊上漲的重要情緒催化劑。

近期，國產(chǎn)半導體行業(yè)面臨多重變化。海光信息終止吸收合并中科曙光，原本市場預期的“算力航母”資本整合計劃暫時擱置。不過，雙方均表示后續(xù)產(chǎn)業(yè)協(xié)同不會改變，重心可能會轉(zhuǎn)向更為務實的生態(tài)合作模式。

在芯片出口方面，英偉達H200芯片獲得了有條件對華出口許可。業(yè)內(nèi)人士將此視為一種“折中”方案，雖然該方案可能在一定程度上滿足國內(nèi)高端AI算力需求，但從長期來看，反而更加凸顯了產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性。

與此同時，存儲與GPU芯片價格持續(xù)上漲。在AI服務器需求的推動下，行業(yè)似乎正站在新一輪周期的起點。TrendForce預計，四季度一般型DRAM合約價將季增45 - 50%，包含HBM的整體DRAM合約價將上漲50 - 55%。

綜合多方面因素，上游半導體設備與材料環(huán)節(jié)的戰(zhàn)略價值愈發(fā)凸顯。半導體設備ETF（561980）緊密跟蹤中證半導指數(shù)，重點布局了中微公司、北方華創(chuàng)、寒武紀、中芯國際、海光信息等產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)，前十大成份股集中度接近8成。在該指數(shù)中，半導體設備、材料以及集成電路設計三個行業(yè)的占比超過9成。在國產(chǎn)替代的長期邏輯支撐下，該領域的景氣度有望持續(xù)保持。

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