在移動設(shè)備AI性能提升的賽道上，SK海力士正以創(chuàng)新技術(shù)掀起新一輪變革。據(jù)可靠消息，這家存儲巨頭正在研發(fā)一項名為高帶寬存儲（HBS）的前沿技術(shù)，通過將移動DRAM與NAND閃存深度融合，為智能手機(jī)和平板電腦等終端設(shè)備注入更強(qiáng)勁的AI算力。

技術(shù)突破的核心在于垂直扇出（VFO）工藝的突破性應(yīng)用。該工藝通過三維堆疊技術(shù)，最多可將16層DRAM與NAND閃存垂直整合，構(gòu)建出立體化的存儲架構(gòu)。這種設(shè)計不僅實現(xiàn)了數(shù)據(jù)訪問的高帶寬與低延遲，更在物理層面重構(gòu)了存儲單元的連接方式。

與傳統(tǒng)HBM采用的硅通孔（TSV）技術(shù)相比，VFO工藝展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。由于無需在晶圓上鉆孔，其制造成本大幅降低，同時產(chǎn)品良率得到顯著提升。更短的布線距離使得I/O密度實現(xiàn)指數(shù)級增長，為移動設(shè)備的小型化與高性能化提供了技術(shù)支撐。

在封裝形式上，HBS技術(shù)展現(xiàn)出獨特的靈活性。存儲模塊可直接與手機(jī)芯片組進(jìn)行協(xié)同封裝，形成高度集成的系統(tǒng)級方案。這種設(shè)計不僅簡化了主板布局，更通過縮短數(shù)據(jù)傳輸路徑，為實時圖像識別、語音交互以及大模型推理等AI應(yīng)用提供了硬件層面的優(yōu)化。

值得關(guān)注的是，HBS技術(shù)正展現(xiàn)出替代現(xiàn)有eMMC/UFS存儲方案的潛力。其通過突破傳統(tǒng)存儲架構(gòu)的"存儲墻"限制，有望成為下一代智能終端的核心競爭力。在AI計算需求呈指數(shù)級增長的背景下，這項技術(shù)或?qū)⒅匦露x移動設(shè)備的性能邊界。