據(jù)韓媒ZDNET Korea近日報道，三星電子的HBM3E產(chǎn)品面臨供貨延遲問題，主要原因在于其基礎的14nm級DRAM技術(shù)存在瓶頸。該內(nèi)存產(chǎn)品的認證及供貨進程受到英偉達等主要需求方的密切關注。

報道指出，三星的36GB容量HBM3E 12H內(nèi)存預計要到2025年的第二至第三季度才能開始供應市場。

相較于SK海力士與美光，這兩家公司的HBM內(nèi)存產(chǎn)品基于1b DRAM技術(shù)，而三星的HBM3E則依賴于14nm級（即1a nm）DRAM，這在工藝上構(gòu)成了一定的劣勢。

三星在其12nm級（1b nm）DRAM的初步設計中并未考慮HBM的應用，這限制了三星迅速調(diào)整HBM3E內(nèi)存DRAM Die的能力。

三星1a DRAM技術(shù)不僅面臨設計上的挑戰(zhàn)，還遭遇了工藝問題。三星在內(nèi)存生產(chǎn)中積極引入EUV技術(shù)，以期提高競爭力并降低成本。然而，1a DRAM的EUV層數(shù)多達5層，超過SK海力士的同期產(chǎn)品，但工藝穩(wěn)定性不足，未能實現(xiàn)預期的成本降低。

同時，三星1a DRAM的設計缺陷也導致其在DDR5服務器內(nèi)存條的市場競爭中落后于SK海力士，后者更早獲得了英特爾的產(chǎn)品認證。

有消息透露，三星電子內(nèi)部正在考慮對其1a DRAM的部分電路進行重新設計，但這一決策面臨諸多風險。新設計至少需要6個月才能完成，并需等到明年第二季度才能進行批量生產(chǎn)，這使得及時向下游廠商交付產(chǎn)品變得困難。