近日，韓國媒體ETNews報道了一項來自三星電子的重大技術突破。據悉，三星在DRAM內存制造領域成功引入了干式光刻膠（Dry PR）技術，并將此技術應用于其即將推出的第六代10納米級工藝（1c nm）中。

報道指出，三星電子已經完成了干式光刻膠涂覆和顯影等關鍵工序所需的設備配置，這些設備均由泛林集團（Lam Research）提供。這一技術革新標志著三星在半導體制造工藝上邁出了重要一步。

干式光刻膠技術與傳統的濕式光刻膠存在顯著差異。傳統濕式光刻膠使用溶液旋涂方式，并在后續過程中需要溶劑沖洗，而干式光刻膠則是直接沉積到晶圓表面。這一改變有效避免了光刻膠去除過程中因液體表面張力導致的圖案完整性問題，從而提升了制造精度。

干式光刻膠還具備更高的曝光效率，能夠實現更為精細的線寬，這對于半導體器件的性能提升具有重要意義。三星電子計劃將這一技術應用于其HBM4產品中，通過提升圖案質量來增強HBM4堆棧的信號完整性和可靠性。

值得注意的是，泛林集團在今年早些時候已經宣布，其干式光刻膠技術已被一家領先的存儲器制造商在最先進的DRAM工藝中采用。如今，三星電子的加入進一步證明了干式光刻膠技術在半導體制造領域的廣闊前景。