在臺(tái)積電北美技術(shù)論壇的璀璨舞臺(tái)上，SK海力士大放異彩，不僅揭示了其最新一代HBM4高帶寬內(nèi)存技術(shù)的神秘面紗，還展示了多款專為AI和數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的內(nèi)存新品，彰顯了在高端內(nèi)存領(lǐng)域的卓越實(shí)力。

SK海力士此次推出的HBM4規(guī)格極為引人注目，單顆容量飆升至48GB，帶寬更是達(dá)到了驚人的2.0TB/s，I/O速度也實(shí)現(xiàn)了8.0Gbps的飛躍。據(jù)公司透露，他們計(jì)劃在2025年下半年啟動(dòng)HBM4的大規(guī)模量產(chǎn)，并有望在今年年底就將其集成到相關(guān)產(chǎn)品中。尤為SK海力士目前是市場(chǎng)上唯一一家公開(kāi)展示HBM4技術(shù)細(xì)節(jié)的廠商，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和美光仍處在送樣階段，這無(wú)疑進(jìn)一步凸顯了SK海力士的技術(shù)領(lǐng)先地位。

除了HBM4的驚艷亮相，SK海力士還帶來(lái)了全球首款16層堆疊的HBM3E產(chǎn)品，其帶寬高達(dá)1.2TB/s。據(jù)悉，這款產(chǎn)品預(yù)計(jì)將應(yīng)用于NVIDIA最新的GB300“Blackwell Ultra”AI集群產(chǎn)品，而在未來(lái)的NVIDIA Vera Rubin架構(gòu)中，則將轉(zhuǎn)向使用HBM4。SK海力士表示，其先進(jìn)的MR-MUF封裝工藝與硅通孔（TSV）技術(shù)是實(shí)現(xiàn)如此高層數(shù)堆疊的關(guān)鍵，這也再次證明了SK海力士在高端存儲(chǔ)封裝領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

在服務(wù)器內(nèi)存領(lǐng)域，SK海力士同樣展現(xiàn)出了不俗的實(shí)力。他們推出了基于最新1c DRAM工藝制造的RDIMM與MRDIMM產(chǎn)品，傳輸速度最高可達(dá)12,500MB/s。其中，MRDIMM系列支持12.8Gbps速率，提供了64GB、96GB和256GB等多種容量選擇；而RDIMM系列則以8Gbps速率提供了64GB與96GB版本，并推出了單條256GB容量的3DS RDIMM模塊，全面滿足了高性能AI和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的需求。

通過(guò)持續(xù)推動(dòng)HBM與服務(wù)器內(nèi)存技術(shù)的創(chuàng)新，并與NVIDIA等合作伙伴保持緊密的合作關(guān)系，SK海力士已經(jīng)在高端內(nèi)存市場(chǎng)取得了顯著的領(lǐng)先地位，成功超越了傳統(tǒng)霸主三星，奠定了其在下一代AI計(jì)算時(shí)代的核心地位。