SK 海力士近期在AI存儲領域取得了重大突破，正式揭曉了其專為人工智能應用設計的超高性能DRAM新品——12層（12Hi）HBM4內(nèi)存。據(jù)悉，該公司已率先向全球主要客戶提供了該內(nèi)存的樣品。

此次推出的12Hi HBM4內(nèi)存，SK 海力士采用了24Gb DRAM芯片，并結合了其先進的MR-MUF（先進批量回流-模制底部填充）鍵合工藝。這一創(chuàng)新設計使得單個封裝的內(nèi)存容量達到了36GB，數(shù)據(jù)傳輸帶寬更是高達2TB/s，相較于前代HBM3E，運行速度有了超過60%的顯著提升。

SK 海力士方面表示，憑借在HBM市場的深厚技術積累和豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗，公司得以提前完成12層HBM4的樣品出貨，并已著手與主要客戶進行產(chǎn)品驗證。預計在下半年，SK 海力士將完成該內(nèi)存的量產(chǎn)準備工作，從而進一步鞏固其在AI存儲器市場的領先地位。

SK 海力士AI基礎設施部門的負責人金柱善社長強調(diào)，公司一直致力于滿足客戶需求，不斷突破技術瓶頸，已成為推動AI生態(tài)創(chuàng)新的佼佼者。他提到，基于公司在HBM領域的大規(guī)模供應經(jīng)驗，未來的性能驗證和量產(chǎn)準備工作將順利進行。