近日，備受矚目的2025 IEEE ISSCC國際固態電路會議日程在ISSCC官網上正式揭曉，這一科技界的盛會將于明年2月16日至20日在美國加利福尼亞州的舊金山盛大召開。
在會議的高光時刻——17日的全體會議上，四位業界領袖將登臺發表精彩演講。其中，英特爾的首席執行官帕特·基辛格將深入探討人工智能領域的多層次技術創新，而三星電子的存儲器業務負責人李禎培則將聚焦AI存儲器的最新發展趨勢。
會議日程中，SRAM、非易失性存儲與DRAM的專題研討會備受關注，它們均安排在2月19日進行。臺積電將在此次研討會上展示其采用2nm Nanosheet制程的SRAM，存儲密度高達38.1 Mb/mm2，這一成果令人矚目。同時，英特爾也將展示其采用BSPDN背面供電設計的Intel 18A RibbonFET工藝高密度SRAM，展現了其在半導體領域的領先地位。
在非易失性存儲與DRAM領域，各大廠商同樣帶來了令人期待的成果。三星電子將展示其采用晶圓鍵合技術的4XX層堆疊1Tb容量3D TLC NAND，存儲密度高達28Gb/mm2，I/O引腳速率更是達到了5.6Gb/s，預計這將是其第10代V-NAND的代表作。而鎧俠-西部數據聯盟則推出了I/O引腳速率為4.8Gb/s的1Tb 3D TLC NAND，其讀取操作能效提升了29%。
在GDDR7方面，三星電子也展示了其最新成果——42.5Gbps的24Gb產品，這與此前宣布成功開發的型號相契合。三星電子還將展出其第5代10nm級（1bnm、12nm級）工藝的超高速16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，I/O引腳速率高達12.7Gb/s，進一步提升了存儲性能。
SK海力士同樣不甘示弱，帶來了321層（V9）2Tb QLC NAND，其編程吞吐量高達75MB/s，這一堆疊數量和單元結構的閃存產品此前已在FMS 2024展會上亮相。SK海力士還與鎧俠合作開發了新型64Gb DDR4 STT-MRAM，該存儲器件結合了交叉點存儲和磁隧道節結構，為存儲領域帶來了新的突破。
