在高端計算芯片領域，隨著性能需求的不斷攀升，芯片尺寸也隨之急劇增大。面對這一挑戰，臺積電正加速推進其創新的CoWoS封裝技術，旨在打造前所未有的巨型芯片。據透露，該技術有望將芯片面積擴展至接近8000平方毫米，功耗達到驚人的1000瓦，而其性能則可能比傳統標準處理器高出40倍之多。
目前，臺積電CoWoS封裝技術的中介層面積已經能夠突破至2831平方毫米，這一尺寸遠超臺積電光罩尺寸的極限，達到了光罩最大尺寸（約830平方毫米）的3.3倍。這一突破性的進展使得像NVIDIA B200和AMD MI300X等高性能芯片得以將大型計算模塊與多個HBM內存芯片高效整合。
然而，臺積電的雄心并未止步。據透露，公司計劃在不久的將來推出下一代CoWoS-L封裝技術，該技術將進一步擴大中介層面積至4719平方毫米，相當于光罩極限尺寸的5.5倍。為了實現這一目標，將需要使用面積達10000平方毫米的大型基板。CoWoS-L還將能夠整合多達12顆HBM內存，包括即將推出的下一代HBM4。
更為驚人的是，臺積電還展望了未來中介層面積可能達到7885平方毫米的愿景，這將是光罩極限尺寸的約9.5倍，并需要面積高達18000平方毫米的基板。這一前所未有的封裝技術將能夠容納多達4顆計算芯片、12顆HBM內存以及其他知識產權組件，其尺寸甚至超過了一個標準的CD光盤盒。
在封裝技術不斷突破的同時，臺積電也在積極應對巨型芯片帶來的高功耗和高發熱挑戰。據預計，這些巨型芯片的功耗將達到1000瓦級別。為了有效管理這一巨大的功耗，臺積電計劃在CoWoS-L封裝內的RDL中介層上直接集成一顆采用N16工藝和TSV硅通孔技術制造的電源管理IC。這一創新設計將縮短供電距離，減少有源IC數量，從而降低寄生電阻，提高系統級供電效率。
在散熱方面，臺積電也在積極探索直觸式液冷和浸沒式液冷等高效散熱解決方案，以確保巨型芯片的穩定運行。
隨著芯片尺寸的增大，現有的OAM模塊形態也面臨著挑戰。目前，OAM 2.0模塊的尺寸為102×165毫米，而100×100毫米的基板已經接近其極限。因此，業界需要同步制定新的OAM形態標準，以適應未來更大尺寸的芯片封裝需求。
臺積電在封裝技術上的持續創新和突破，不僅展現了其在高端計算芯片領域的領先地位，也為未來高性能計算的發展奠定了堅實基礎。隨著技術的不斷進步，我們有理由相信，更加高效、強大的巨型芯片將成為可能。
