臺(tái)積電在近期舉辦的2025年北美技術(shù)研討會(huì)上，公布了一項(xiàng)令人矚目的消息：其最先進(jìn)的N2芯片有望在今年下半年正式投入量產(chǎn)。這款芯片標(biāo)志著臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步，它采用了全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管技術(shù)，是臺(tái)積電在該領(lǐng)域的首次嘗試。

目前，臺(tái)積電的N3家族已經(jīng)涵蓋了多款產(chǎn)品，包括已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的N3和N3E，以及即將推出的N3P、N3X、N3A和N3C。然而，N2芯片的出現(xiàn)，無疑將為這個(gè)家族增添新的活力。N2作為臺(tái)積電全新的2nm工藝技術(shù)，不僅在性能和功耗上具有顯著優(yōu)勢(shì)，還能在相同功耗下提升10%-15%的速度，或在相同速度下降低20%-30%的功耗。

與現(xiàn)有的N3E相比，N2的性能提升幅度可達(dá)10%-15%，功耗降低25%-30%，同時(shí)晶體管的密度也增加了15%。這一突破性的進(jìn)步，使得N2芯片在性能和能效方面均達(dá)到了新的高度。

臺(tái)積電透露，N2芯片的晶體管性能已經(jīng)接近預(yù)期目標(biāo)，256Mb SRAM模塊的平均良率也超過了90%。隨著N2逐步走向量產(chǎn)，其工藝成熟度也將不斷提升。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，在智能手機(jī)和高性能計(jì)算應(yīng)用的推動(dòng)下，N2技術(shù)在前兩年的流片數(shù)量將超越3nm和5nm技術(shù)，展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場潛力。

臺(tái)積電還推出了N2P作為N2系列的擴(kuò)展產(chǎn)品。N2P在N2的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提升了性能和功耗優(yōu)勢(shì)，并計(jì)劃于2026年實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。這一舉措不僅豐富了臺(tái)積電的產(chǎn)品線，也為未來半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

在N2之后，臺(tái)積電將繼續(xù)向更先進(jìn)的A16（1.6nm）節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)。A16采用了超級(jí)電軌架構(gòu)，即背面供電技術(shù)，這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)將供電網(wǎng)絡(luò)移至晶圓背面，為正面提供了更多的布局空間，從而提升了芯片的邏輯密度和效能。與N2P相比，A16在相同電壓和設(shè)計(jì)下性能可提升8-10%，在相同頻率和晶體管數(shù)量下功耗下降15-20%，密度提升在1.07-1.10倍范圍內(nèi)。

臺(tái)積電指出，A16最適合用于信號(hào)路由復(fù)雜且供電網(wǎng)絡(luò)密集的特定高性能計(jì)算（HPC）產(chǎn)品。這款芯片的量產(chǎn)計(jì)劃定于2026年下半年進(jìn)行，屆時(shí)將為用戶帶來更加卓越的性能體驗(yàn)。

臺(tái)積電還表示，N2、N2P、A16及其衍生產(chǎn)品將進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，使公司能夠更好地把握未來增長機(jī)遇。這些創(chuàng)新產(chǎn)品的推出，不僅展示了臺(tái)積電在技術(shù)研發(fā)方面的強(qiáng)大實(shí)力，也為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。