三星電子在高帶寬內存（HBM）領域雖有新進展，但其半導體業務卻正面臨多重嚴峻挑戰。據業內消息透露，特別是在8層堆疊HBM產品方面，三星的上市時間較競爭對手落后超過一年，這不僅在技術先進性上造成了差距，也對市場份額的爭奪帶來了巨大壓力。

在HBM市場的競爭中，三星在第五代產品上已處下風，因此公司將希望寄托在了下一代HBM4產品上，力求能在今年實現量產。然而，現實情況卻不盡如人意。用于HBM4的關鍵10納米級第七代DRAM技術尚未開發完成，加之材料準備不充分，使得HBM4的量產計劃面臨諸多不確定性。有專家指出，只有當高附加值的HBM訂單大幅增加時，三星的設備解決方案（DS）部門業績才有可能迎來顯著反彈。

三星半導體業務的另一大支柱，即由晶圓代工和系統LSI組成的業務線，同樣表現不佳。據估算，2025年第一季度，該業務線虧損額超過2萬億韓元（折合人民幣約99.2億元）。其中，核心產品Exynos 2500因性能與良率未能達到預期，未能應用于S25系列，導致虧損持續擴大。

在晶圓代工領域，三星的劣勢也較為明顯。由于3納米及以下先進工藝尚未獲得大型客戶的訂單，三星在爭奪高端客戶方面的不利局面可能在短期內難以改變。這進一步加劇了三星半導體業務的困境。

面對這一系列挑戰，三星正在全力推進2納米制程及相關產品的開發。公司正集中資源研發Exynos 2600，并力爭在年內實現量產。據業內人士透露，與去年同期的3納米制程相比，2納米制程的良率更為穩定，三星在該領域的投入與期待也顯著提升。HBM4與2納米制程被視作三星半導體業務能否扭轉局勢的關鍵所在。