近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商ASML推出的Twinscan EXE:5000 EUV光刻機(jī)，憑借其High-NA（高孔徑）技術(shù)，成為了當(dāng)前半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中最耀眼的明星。據(jù)悉，Intel已率先引入并部署了兩臺(tái)此型號(hào)的光刻機(jī)于其俄勒岡州的Fab D1晶圓廠內(nèi)，目前正處于緊張的測(cè)試與研發(fā)階段。

Intel資深首席工程師Steve Carson透露，盡管這兩臺(tái)光刻機(jī)尚處于測(cè)試階段，但它們已成功生產(chǎn)出了3萬塊晶圓。這一數(shù)字雖不算龐大，但足以彰顯Intel對(duì)新技術(shù)的重視與投入。Steve Carson還進(jìn)一步指出，與上一代光刻機(jī)相比，新款EUV光刻機(jī)在效率上實(shí)現(xiàn)了顯著提升，將原本需要3次的曝光次數(shù)減少至僅需1次，處理步驟也從40多個(gè)大幅縮減至不足10個(gè)，從而極大地節(jié)省了生產(chǎn)成本與時(shí)間。

據(jù)Intel透露，新款EUV光刻機(jī)的可靠性相較于上一代提升了約兩倍，盡管具體數(shù)據(jù)尚未公開。而在性能方面，ASML EXE:5000光刻機(jī)單次曝光的分辨率可達(dá)8nm，相較于前代Low-NA光刻機(jī)的13.5nm，提升幅度高達(dá)40%，同時(shí)晶體管密度也實(shí)現(xiàn)了2.9倍的增長(zhǎng)。值得注意的是，雖然Low-NA光刻機(jī)同樣能夠達(dá)到8nm的分辨率，但需要兩次曝光，無論在時(shí)間、成本還是良品率方面，都顯得不夠經(jīng)濟(jì)高效。

在滿負(fù)荷生產(chǎn)狀態(tài)下，ASML EXE:5000光刻機(jī)每小時(shí)可生產(chǎn)400-500塊晶圓，而目前其生產(chǎn)速率僅為200塊，未來效率有望實(shí)現(xiàn)100%-150%的提升。這一提升對(duì)于半導(dǎo)體制造業(yè)而言，無疑是一個(gè)巨大的福音。

Intel計(jì)劃利用這款High-NA EUV光刻機(jī)生產(chǎn)14A工藝產(chǎn)品，即1.4nm級(jí)別的芯片。盡管具體的時(shí)間表和產(chǎn)品尚未確定，但有望在2026年左右實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并可能應(yīng)用于未來的Nova Lake、Razer Lake等系列產(chǎn)品中。這一舉措無疑將進(jìn)一步鞏固Intel在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

與此同時(shí)，Intel的18A工藝產(chǎn)品，即1.8nm級(jí)別的芯片，也將在今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這一工藝仍將使用現(xiàn)有的Low-NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)，對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品包括代號(hào)為Panther Lake的下一代酷睿處理器以及代號(hào)為Clearwater Forest的下一代至強(qiáng)處理器。目前，這兩款產(chǎn)品均已通過全功能測(cè)試，并開展了客戶測(cè)試工作。