在近日召開的國際微電子領域頂級盛會——第70屆IEDM年度會議上，浙江馳拓科技以其卓越的科研成果驚艷全場。該公司在SOT-MRAM（自旋軌道矩磁性隨機存取存儲器）技術領域取得了重大突破，成功解決了制約該技術大規模生產的核心難題。
馳拓科技獨創性地提出了一種全新的無軌道垂直型SOT-MRAM器件結構，這一創新設計極大地簡化了SOT-MRAM的制造工藝流程，并從根本上提升了器件的良率。相較于傳統方案，這一結構的最大亮點在于將MTJ巧妙地置于兩個底部電極之間，并巧妙地利用了過刻蝕技術，從而顯著拓寬了刻蝕窗口，降低了工藝難度。
得益于這一突破性設計，12英寸晶圓上的SOT-MRAM器件位元良率實現了質的飛躍，從原先的99.6%飆升至超過99.9%，完全滿足了大規模生產的高標準要求。這一成就不僅彰顯了馳拓科技在技術研發方面的深厚實力，更為SOT-MRAM技術的廣泛應用奠定了堅實基礎。
傳統方案與馳拓科技的創新方案形成了鮮明對比。傳統方案在刻蝕過程中面臨著良率低的難題，而馳拓科技的方案則通過結構優化，成功克服了這一挑戰。
除了良率的顯著提升，馳拓科技的SOT-MRAM器件還展現出了卓越的性能。該器件的寫入速度達到了驚人的2納秒，寫入/擦除操作次數更是超過了1萬億次（測量時間上限），且具備持續微縮的潛力。這些性能指標不僅滿足了當前高性能存儲技術的需求，更為未來技術的發展預留了充足的空間。
SOT-MRAM作為一種高性能非易失存儲技術，因其納秒級寫入速度和無限次擦寫次數而備受矚目。該技術有望成為CPU各級緩存的理想替代方案，從而有效解決當前SRAM成本高昂及靜態功耗過高等問題。然而，SOT-MRAM在器件制造工藝上的高挑戰性一直制約著其大規模生產與應用。馳拓科技的這一突破性成果無疑為SOT-MRAM技術的未來發展開辟了廣闊的道路。
