美光科技近日宣布了一項重大突破，其基于尖端1γ納米工藝的DDR5 DRAM內存芯片已成功投產。這一創新不僅在性能、能效以及密度方面實現了顯著提升，更標志著美光在內存技術領域的又一里程碑。

值得注意的是，DRAM內存行業的工藝節點標注方式一直較為特殊，并非直接采用具體的數值，而是通過1a、1b、1c、1α、1β、1γ等迭代順序來表示技術的不斷進步。據悉，1a工藝接近20納米級別，而最新的1γ工藝則已逼近10納米大關。

尤為引人注目的是，美光此次在1γ DDR5內存芯片的生產中首次采用了EUV極紫外光刻工藝。盡管三星和SK海力士已在此前引入了該技術，但美光同時引入了下一代HKMG金屬柵極技術，并預計采用全新的BEOL后端工序，這無疑將進一步提升其產品的競爭力。

盡管美光并未透露具體使用了多少層EUV光刻，但業界推測，目前可能僅在關鍵層上應用了EUV技術，以避免多重曝光帶來的時間和成本增加。

在容量方面，美光的1γ DDR5內存芯片單顆容量高達16Gb（即2GB），能夠輕松構建出單條容量達128GB的企業級產品。與上一代1β工藝相比，其容量密度再次提升了30%，這一提升幅度與以往每代工藝升級時的表現相符。

在能效方面，1γ DDR5內存芯片僅需1.1V的標準電壓，即可達到9200MHz（或稱為9200MT/s）的超高頻率。而市面上常見的高頻內存往往需要1.35V甚至1.45V的高電壓。更低的電壓不僅提升了使用的安全性，還有效降低了功耗，與1β工藝相比，最多可降低20%。

目前，美光的1γ DDR5內存芯片僅在日本工廠進行生產，但公司計劃逐步擴大產能，相關產品預計將于今年年中左右上市。美光還透露，未來其在中國臺灣的工廠也將引入EUV技術，并采用1γ工藝制造GDDR7顯存以及LPDDR 5X高頻內存（最高頻率可達9600MHz）。