廣東致能半導體近日宣布，將于2025年11月聯合國際知名8英寸晶圓廠，共同實現全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件的規模化量產。這一突破標志著我國在第三代半導體材料領域的技術應用邁入新階段，為高功率電子器件的國產化替代提供了關鍵支撐。
據技術團隊介紹，該項目通過整合國際領先的制造工藝與創新技術平臺，在芯片尺寸優化、生產成本管控、電學性能提升及制造良率等核心指標上，均展現出顯著優于傳統技術的綜合優勢。藍寶石基氮化鎵材料的應用，有效解決了傳統硅基器件在高頻、高壓場景下的性能瓶頸，為5G基站、新能源汽車充電模塊及工業電源等領域提供了更高效的解決方案。
作為國內第三代半導體領域的標桿企業，致能半導體自2018年成立以來，始終聚焦氮化鎵功率器件的研發與產業化。公司構建了從芯片設計到封裝測試的全鏈條IDM模式，產品矩陣覆蓋TO247、TOLL、PQFN56等主流封裝類型。其自主研發的硅基氮化鎵高功率大電壓常開平面元器件已實現量產交付，并在通信、消費電子等領域形成規模化應用。
今年7月，公司CEO黎子蘭博士在瑞典國際氮化物半導體會議（ICNS）上，首次披露了硅基垂直GaN HEMT功率器件技術的突破性進展。該技術通過在硅襯底上實現垂直GaN/AlGaN結構生長與二維電子氣溝道構建，成功研制出全球首款垂直型常開、常關雙模式器件。其中，常關器件的閾值電壓突破4V，技術原創性獲得國際學術界高度認可，為高壓功率器件的集成化設計開辟了新路徑。
資本市場的持續加碼為技術轉化提供了強勁動力。截至目前，公司已完成從種子輪到C輪的多輪融資，投資方陣容涵蓋高榕資本、博世創投、深創投等頭部機構。今年1月的C輪融資恰逢量產關鍵期，資金將主要用于擴大產能規模、優化供應鏈體系及加速新一代產品研發，進一步鞏固其在氮化鎵功率器件市場的領先地位。
