近期，有關蘋果即將在2027年推出的20周年版iPhone的技術創新細節逐漸浮出水面。據悉，蘋果正致力于開發多項前沿技術，其中，HBM（高帶寬內存）技術尤為引人注目，有望成為提升iPhone性能的關鍵所在，特別是在設備端的人工智能（AI）應用方面。
HBM，即High Bandwidth Memory，是一種采用3D堆疊技術的新型高性能DRAM。它通過TSV（硅通孔）技術，將多個內存芯片垂直堆疊在一起，不僅顯著提高了數據吞吐量，還降低了功耗，同時減小了內存芯片的體積。與傳統的2D內存相比，HBM憑借其立體互聯結構，實現了更高的集成度和更快的讀寫速度。
蘋果計劃將HBM技術應用于iPhone的GPU單元，以大幅增強設備端的AI計算能力。這一舉措對于運行復雜的端側AI大模型至關重要，它不僅能夠有效延長電池續航，還能大幅度減少計算延遲。HBM與處理器通過共享的Interposer中間介質層實現緊密連接，這種設計不僅優化了芯片面積的使用，還縮短了數據傳輸時間。
據了解，蘋果已與三星電子和SK海力士等內存供應商就HBM內存的供應計劃展開了深入討論。三星正在開發VCS封裝方案，而SK海力士則采用了VFO技術。兩家公司均計劃在2026年之后實現HBM內存的量產，以滿足未來市場需求。
然而，盡管HBM內存技術在性能上具備顯著優勢，但在移動設備中的應用仍面臨不少挑戰。HBM的制造成本遠高于當前的LPDDR內存，這對于追求性價比的智能手機市場來說，無疑是一個不小的考驗。作為一款輕薄設備，iPhone的散熱能力將是HBM技術應用的重要限制因素。再者，3D堆疊和TSV工藝涉及高度復雜的封裝技術，良率的提升也是一個亟待解決的問題。
